rf transistor, npn, sot-23; BFR106
Marca: Nxp
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rf transistor, npn, sot-23; transistor polarity:n channel; collector emitter voltage v(br)ceo:15v; transition frequency typ ft:5ghz; power dissipation pd:500mw; dc collector current:100ma; dc current gain hfe:80; operating temperature min:-65°c; operating temperature max:150°c; rf transistor case:sot-23; no. of pins:3; svhc:no svhc (19-dec-2012); continuous collector current ic:100ma; continuous collector current ic max:100ma; current ic continuous a max:100ma; current ic hfe:50ma; gain bandwidth ft typ:5ghz; hfe min:25; no. of transistors:1; noise figure typ:3.5db; operating temperature range:-65°c to +150°c; package / case:sot-23; power dissipation ptot max:500mw; smd marking:bfr106; termination type:smd; test frequency:800mhz; transistor case style:sot-23; voltage vcbo:20v
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